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[发明专利]一种Ⅱ-型核壳结构量子点及其制备方法和应用-CN201810385108.5有效
发明人：赵高凌;卢王威;占丰;钱怡潇;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅱ‑型核壳结构量子点及其制备方法和在制备量子点敏化光电极中的应用，所述Ⅱ‑型核壳结构量子点包括壳层与核层，组成为CdZnTe@CdS，所述元素Cd与元素Zn的摩尔比为0.15～1.8：1本发明公开了一种新型的核壳结构量子点，在低厚度的CdS壳层下获得了Ⅱ型核壳结构。以该结构的量子点制备的量子点敏化光电极的光捕获能力得到显著提高，而光生电子的注入效率并未受到影响，以此制备的量子点敏化太阳能电池有望具有更加优异的光电转化效率。
核壳结构量子点制备量子点敏化光电极壳层量子点敏化太阳能电池制备方法和应用光电转化效率光生电子注入效率光捕获摩尔比核层应用

[发明专利]基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法-CN201811286502.X在审
发明人：梁桂杰;陈美华;张伯宇;陈西;张欣;刘科 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点。量子点壳层的导带能级低于量子点核层的导带能级，量子点壳层的价带能级低于量子点核层的价带能级，n型半导体膜的导带能级位于量子点壳层的导带能级和价带能级之间。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型核壳量子点的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
光阳极能级核壳量子点导带导电基片价带能级量子点壳巯基烷酸制备光电转化效率界面电荷量子点核层浸泡敏化剂溶液分离效率复合作用吸光效率醇溶液可控性沉积吸附

[发明专利]一种核壳型量子点及其制备方法和用途-CN201810764067.0有效
发明人：张爱迪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种核壳型量子点，包含量子点核、位于所述量子点核表面的透光无机介孔材料层和位于所述透光无机介孔材料层的介孔内的不同于所述无机介孔材料的填充物。本公开还涉及所述核壳型量子点核的制备和应用。将量子点核用透光的无机介孔材料包覆并且在无机介孔材料的介孔内填充不同于所述无机介孔材料的填充物，如此得到的核壳型量子点不仅具有改进的光学稳定性和化学稳定性，而且光学性能可调节。
一种核壳型量子及其制备方法用途

[发明专利]一种水溶性CdTe/CdS/ZnS核/壳/壳型量子点的制备方法-CN201210190554.3无效
发明人：黄珊;肖琦;苏炜 -专利权人：广西师范学院
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种水溶性CdTe/CdS/ZnS核/壳/壳型量子点的制备方法。该方法通过：碲氢化钠NaHTe溶液的制备、CdTe量子点溶液的制备、水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液的制备和水溶性CdTe/CdS/ZnS核/壳/壳型量子点溶液的制备完成。2.采用本发明所制备的CdTe/CdS/ZnS核/壳/壳型量子点水溶性好、荧光发射波长可调（540-710nm）、荧光量子产率高（40-65%）和生物相容性好的优点，可广泛用于生物医学与疾病诊断领域。
一种水溶性 cdte cds zns 量子制备方法

[发明专利]一种准II型能带结构量子点及其制备方法-CN201910911832.1在审
发明人：王昌猛;王志明;童鑫;余鹏;马翠苹 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种准II型能带结构量子点，包括核量子点和壳量子点；所述核量子点包括CuInS
量子点壳量子点能带结构单分散性合成工艺稳定性强可调控人为地制备

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201811460333.7在审
发明人：王星河 -专利权人：王星河
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CdHgTe/ZnSSe核壳量子点，CdSeTe/CdSTe核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CdHgTe/ZnSSe核壳量子点发出红光；所述CdSeTe/CdSTe核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
核壳量子点半导体发光元件多量子阱红光蓝光绿光外延片衬底

[发明专利]一种降低核壳型磷化铟量子点荧光半峰宽的方法-CN202211270248.0在审
发明人：蒋风雷;胡慧玲 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明提供一种降低核壳型磷化铟量子点荧光半峰宽的方法，包括以下步骤：首先，在原料卤化锌存在的条件下，将铟源与磷源混合，反应得到磷化铟核；降温至室温对所述磷化铟核进行纯化、溶解，得到第一产物；其次，向所述第一产物中加入配体卤化锌，再升温至壳层包覆温度；最后，在上一步骤的产物中加入锌源、硒源和硫源进行壳层包覆，得到核壳型磷化铟量子点。本发明在核壳型磷化铟量子点合成的中间步骤，通过配体卤化锌进行量子点表面修饰，既钝化了磷化铟量子点核的表面缺陷，又缓解了加热过程中的奥斯特瓦尔德熟化，得到的磷化铟量子点具有荧光半峰宽更窄、对环境友好等优势
一种降低核壳型磷化量子荧光半峰宽方法

[发明专利]核壳型量子点、量子点发光器件、显示装置和制作方法-CN202110835520.4在审
发明人：梅文海 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本公开提供一种核壳型量子点、量子点发光器件、显示装置和制作方法。所述核壳型量子点包括：核部；壳层，所述壳层位于所述核部的至少部分表面，包括金属离子；螯合配体，所述螯合配体与所述金属离子连接，所述螯合配体与所述金属离子形成连接于所述壳层的闭合环状结构。
核壳型量子发光器件显示装置制作方法

[发明专利]一种导电细丝型忆阻器及制备方法与存储模式的调控方法-CN202011088579.3在审
发明人：周晔;韩素婷;王俊杰;吕子玉 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电细丝型忆阻器及制备方法与存储模式的调控方法。所述导电细丝型忆阻器包括：底电极、形成在所述底电极上的核壳量子点层、形成在所述核壳量子点层上的顶电极。本发明所述导电细丝型忆阻器将核壳量子点层作为忆阻器的介质层，利用核壳量子点光响应性实现了光调控忆阻器在易失性存储模式与非易失性存储模式之间的切换，具有可远程操控、非损害、简易等优势。
一种导电细丝型忆阻器制备方法存储模式调控

[发明专利]一种近红外双波长输出的微型表面量子点激光器-CN202110045841.4有效
发明人：王丽;王进;苏雪琼;赵鹏翔;吕青鸿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种近红外双波长输出的微型表面量子点激光器，属于基于双层核壳量子点的微型激光器领域。将高量子产率的近红外核壳量子点双层核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS滴涂于对近红外波段具有高反射率的DBR表面，使得量子点荧光波长与DBR反射波段相匹配，构成谐振腔型，实行量子点荧光的增益反馈，最终实现激光输出
一种红外波长输出微型表面量子激光器

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201910284584.2在审
发明人：郑清团;王星河;叶芳 -专利权人：福建省南安市清信石材有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CuInP/Ag₂S核壳量子点，AgInS₂/CuInS₂核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CuInP/Ag₂S核壳量子点发出红光；所述AgInS₂/CuInS2核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光
核壳量子点半导体发光元件多量子阱红光蓝光绿光外延片衬底

[发明专利]核壳结构量子点、其制备方法以及应用-CN201911278118.X有效
发明人：高静;谢阳腊;乔培胜;刘俊娜;苏叶华 -专利权人：浙江纳晶科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了核壳结构量子点、其制备方法以及应用。其中，核壳结构量子点包括第一核壳量子点，其包括量子点核以及包覆在量子点核外的至少两内壳层，第一核壳量子点各层材料的禁带宽度沿径向由内向外依次增大；以及直接包覆在第一核壳量子点外的第一外壳层，第一外壳层材料的禁带宽度小于第一核壳量子点最外层材料的禁带宽度第一核壳量子点的禁带宽度沿径向由内向外依次增大，也即壳材料的禁带宽度大于核材料的禁带宽度，电子和空穴被禁锢在核中，壳材料物理地把光学活性中心核与周围介质分开，可以提高量子点的抗水、氧稳定性；此外，在第一核壳量子点外生长了禁带宽度小的第一外壳层，可以有效抵抗光漂白，从而提升量子效率。
结构量子制备方法以及应用

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201811460342.6有效
发明人：王星河 -专利权人：王星河
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，PbSe/InPAs核壳量子点，Cd3P2/InP核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述PbSe/InPAs核壳量子点发出红光；所述Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
一种半导体发光元件

[发明专利]导电钙钛矿核壳量子点及其合成方法-CN202210710512.1在审
发明人：张晓宇;尹文旭;黄倩倩;王建勋;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料及纳米材料制备技术领域，为了解决现有的导电钙钛矿核壳量子点存在晶体结构和荧光稳定性差，从而导致发光二极管效率滚降的问题，公开了导电钙钛矿核壳量子点，所述导电钙钛矿核壳量子点的结构式为CsPbX3:MB，所述导电钙钛矿量子点的内核CsPbX3与表面原子型半导体MB形成Ⅰ型的能带结构；内核与外壳的界面处存在缓冲层本发明所制备的导电钙钛矿核壳量子点能够有效的阻断离子迁移通道，形成具有平缓界面势垒的I型核壳能级结构，进而可抑制发光二极管的效率滚降问题。
导电钙钛矿核壳量子及其合成方法

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

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